ଶିଳ୍ପ ଇଣ୍ଡେକ୍ସନ୍ ହିଟିଂ ମେସିନ୍ (ଫର୍ଣ୍ଣେସ୍) ରେ ମୋସଫେଟ୍, ଆଇଜିବିଟି ଏବଂ ଭାକ୍ୟୁମ୍ ଟ୍ରାଇଡ୍ ର ପ୍ରୟୋଗ
ଆଧୁନିକ ଇଣ୍ଡକ୍ସନ୍ ହିଟିଂ ପାୱାର ଯୋଗାଣ ପ୍ରଯୁକ୍ତିବିଦ୍ୟା ମୁଖ୍ୟତଃ ତିନି ପ୍ରକାରର କୋର ପାୱାର ଡିଭାଇସ୍ ଉପରେ ନିର୍ଭର କରେ: MOSFET, IGBT ଏବଂ ଭାକ୍ୟୁମ୍ ଟ୍ରାଇଡ, ଯାହା ମଧ୍ୟରୁ ପ୍ରତ୍ୟେକ ନିର୍ଦ୍ଦିଷ୍ଟ ପ୍ରୟୋଗ ପରିସ୍ଥିତିରେ ଏକ ଅପରିବର୍ତ୍ତନୀୟ ଭୂମିକା ଗ୍ରହଣ କରେ। MOSFET ଏହାର ଉତ୍କୃଷ୍ଟ ଉଚ୍ଚ-ଆବୃତ୍ତି ବୈଶିଷ୍ଟ୍ୟ (100kHz-1MHz) ଯୋଗୁଁ ସଠିକ୍ ଗରମ କ୍ଷେତ୍ରରେ ପ୍ରଥମ ପସନ୍ଦ ପାଲଟିଛି, ଏବଂ ଏହା ଅଳଙ୍କାର ତରଳାଇବା ଏବଂ ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋନିକ୍ ଉପାଦାନ ୱେଲ୍ଡିଂ ଭଳି କମ୍-ଶକ୍ତି ଏବଂ ଉଚ୍ଚ-ନିର୍ଦ୍ଦିଷ୍ଟତା ପରିସ୍ଥିତି ପାଇଁ ବିଶେଷ ଭାବରେ ଉପଯୁକ୍ତ। ସେମାନଙ୍କ ମଧ୍ୟରେ, SiC/GaN MOSFET ଦକ୍ଷତାକୁ 90% ରୁ ଅଧିକ ବୃଦ୍ଧି କରିଛି, କିନ୍ତୁ ଏହାର ଶକ୍ତି ସୀମା (ସାଧାରଣତଃ
ମଧ୍ୟମ-ଆବୃତ୍ତି ଏବଂ ଉଚ୍ଚ-ଶକ୍ତି (1kHz-100kHz) କ୍ଷେତ୍ରରେ, IGBT ଏକ ଦୃଢ଼ ପ୍ରତିଯୋଗିତାମୂଳକ ସୁବିଧା ଦେଖାଇଛି। ଶିଳ୍ପ ତରଳାଇବା ଚୁଲି ଏବଂ ଧାତୁର ମୂଳ ଉପକରଣ ଭାବରେ ଗରମ ଚିକିତ୍ସା ଉତ୍ପାଦନ ଲାଇନ୍, IGBT ମଡ୍ୟୁଲ୍ ସହଜରେ MW-ସ୍ତରୀୟ ଶକ୍ତି ଉତ୍ପାଦନ ହାସଲ କରିପାରିବ। ଏହାର ପରିପକ୍ୱ ପ୍ରଯୁକ୍ତିବିଦ୍ୟା ଏବଂ ଉତ୍କୃଷ୍ଟ ମୂଲ୍ୟ-ପ୍ରଭାବଶାଳୀତା ଏହାକୁ ଷ୍ଟିଲ୍ ଏବଂ ଆଲୁମିନିୟମ୍ ମିଶ୍ରଧାତୁ ଭଳି ପ୍ରକ୍ରିୟାକରଣ ସାମଗ୍ରୀ ପାଇଁ ଏକ ମାନକ ପସନ୍ଦ କରିଥାଏ। SiC ପ୍ରଯୁକ୍ତିବିଦ୍ୟା ପ୍ରଚଳନ ସହିତ, ନୂତନ ପିଢ଼ିର IGBT ର କାର୍ଯ୍ୟକାରିତା ଫ୍ରିକ୍ୱେନ୍ସି 50kHz ଅତିକ୍ରମ କରିଛି, ଯାହା ମଧ୍ୟମ-ଫ୍ରିକ୍ୱେନ୍ସି ବ୍ୟାଣ୍ଡରେ ଏହାର ବଜାର ପ୍ରାଧାନ୍ୟକୁ ଆହୁରି ସୁଦୃଢ଼ କରିଛି।
ଅଲ୍ଟ୍ରା-ହାଇ-ଫ୍ରିକ୍ୱେନ୍ସି ଏବଂ ଉଚ୍ଚ-ପାୱାର ପରିସ୍ଥିତିରେ (1MHz-30MHz), ଭାକ୍ୟୁମ୍ ଟ୍ରାଇଡୋଡ୍ ଏବେ ବି ଏକ ଅଟଳ ସ୍ଥିତି ବଜାୟ ରଖେ। ଏହା ସ୍ୱତନ୍ତ୍ର ଧାତୁ ସ୍ମେଲ୍ଟିଂ, ପ୍ଲାଜମା ଜେନେରେସନ୍, କିମ୍ବା ପ୍ରସାରଣ ପ୍ରସାରଣ ଉପକରଣ ହେଉ, ଭାକ୍ୟୁମ୍ ଟ୍ରାଇଡୋଡ୍ MW-ସ୍ତରୀୟ ସ୍ଥିର ଶକ୍ତି ଆଉଟପୁଟ୍ ପ୍ରଦାନ କରିପାରିବ। ଏହାର ଅନନ୍ୟ ଉଚ୍ଚ-ଭୋଲଟେଜ୍ ପ୍ରତିରୋଧ ଏବଂ ସରଳ ଡ୍ରାଇଭ୍ ସ୍ଥାପତ୍ୟ ଏହାକୁ କମ ଦକ୍ଷତା (50%-70%) ଏବଂ ଉଚ୍ଚ ରକ୍ଷଣାବେକ୍ଷଣ ଖର୍ଚ୍ଚ ସତ୍ତ୍ୱେ ଟାଇଟାନିୟମ୍ ଏବଂ ଜିରକୋନିୟମ୍ ଭଳି ସକ୍ରିୟ ଧାତୁ ପ୍ରକ୍ରିୟାକରଣ ପାଇଁ ଏକ ଆଦର୍ଶ ପସନ୍ଦ କରିଥାଏ।
ବର୍ତ୍ତମାନର ପ୍ରଯୁକ୍ତିବିଦ୍ୟା ବିକାଶ ଏକ ସ୍ପଷ୍ଟ ଅଭିସରଣ ଧାରା ଦେଖାଉଛି: MOSFET SiC/GaN ପ୍ରଯୁକ୍ତିବିଦ୍ୟା ମାଧ୍ୟମରେ ଉଚ୍ଚ-ଆବୃତ୍ତି ଏବଂ ଉଚ୍ଚ-ଶକ୍ତି କ୍ଷେତ୍ରଗୁଡ଼ିକରେ ପ୍ରବେଶ କରିଚାଲିଛି; IGBT ସାମଗ୍ରୀ ନବସୃଜନ ମାଧ୍ୟମରେ କାର୍ଯ୍ୟକ୍ଷମ ପ୍ରଚଳନ ବ୍ୟାଣ୍ଡକୁ ବିସ୍ତାର କରିଚାଲିଛି; ଯେତେବେଳେ ଭାକ୍ୟୁମ୍ ଟ୍ୟୁବ୍ ସେମାନଙ୍କର ଅଲ୍ଟ୍ରା-ହାଇ ଫ୍ରିକ୍ୱେନ୍ସି ସୁବିଧା ବଜାୟ ରଖି କଠିନ-ଅବସ୍ଥା ଡିଭାଇସଗୁଡ଼ିକରୁ ପ୍ରତିଯୋଗିତାମୂଳକ ଚାପର ସମ୍ମୁଖୀନ ହେଉଛି। ଏହି ପ୍ରଯୁକ୍ତିବିଦ୍ୟା ବିକାଶ ଇଣ୍ଡକ୍ସନ୍ ହିଟିଂ ପାୱାର ସପ୍ଲାଏର ଶିଳ୍ପ ଦୃଶ୍ୟପଟକୁ ପୁନଃଆକୃତି ଦେଉଛି।
ପ୍ରକୃତ ଚୟନରେ, ଇଞ୍ଜିନିୟରମାନଙ୍କୁ ଫ୍ରିକ୍ୱେନ୍ସି, ପାୱାର ଏବଂ ଇକୋନୋମିର ତିନୋଟି ପ୍ରମୁଖ କାରଣକୁ ବ୍ୟାପକ ଭାବରେ ବିଚାର କରିବାକୁ ପଡିବ: ଉଚ୍ଚ-ଫ୍ରିକ୍ୱେନ୍ସି ଏବଂ କମ୍-ପାୱାର ପାଇଁ MOSFET ପସନ୍ଦ କରାଯାଏ, ମଧ୍ୟମ-ଫ୍ରିକ୍ୱେନ୍ସି ଏବଂ ଉଚ୍ଚ-ପାୱାର ପାଇଁ IGBT ଚୟନ କରାଯାଏ, ଏବଂ ଅଲ୍ଟ୍ରା-ହାଇ ଫ୍ରିକ୍ୱେନ୍ସି ଏବଂ ଉଚ୍ଚ ପାୱାର ପାଇଁ ଭାକ୍ୟୁମ୍ ଟ୍ରାଇଡଗୁଡ଼ିକର ଆବଶ୍ୟକତା ରହିଛି। ୱାଇଡ୍-ବ୍ୟାଣ୍ଡଗ୍ୟାପ୍ ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟର ପ୍ରଯୁକ୍ତିର ଉନ୍ନତି ସହିତ, ଏହି ଚୟନ ମାନଦଣ୍ଡ ପରିବର୍ତ୍ତନ ହୋଇପାରେ, କିନ୍ତୁ ଆଗାମୀ ଭବିଷ୍ୟତରେ, ତିନି ପ୍ରକାରର ଡିଭାଇସ୍ ସେମାନଙ୍କର ନିଜ ନିଜ ସୁବିଧା କ୍ଷେତ୍ରରେ ଏକ ଗୁରୁତ୍ୱପୂର୍ଣ୍ଣ ଭୂମିକା ଗ୍ରହଣ କରିବ ଏବଂ ମିଳିତ ଭାବରେ ଅଧିକ ଦକ୍ଷ ଏବଂ ସଠିକ୍ ଦିଗ ଆଡ଼କୁ ଇଣ୍ଡକ୍ସନ୍ ହିଟିଂ ପ୍ରଯୁକ୍ତିର ବିକାଶକୁ ପ୍ରୋତ୍ସାହିତ କରିବ।
